Built-in Potential

释义 Definition

内建电势 / 内建电压：指在平衡状态下，由于材料内部（常见于 p-n 结 或金属-半导体接触）载流子扩散与电场漂移相互抵消而形成的天然电势差。它会在结区产生电场，阻碍进一步扩散。（在半导体语境中最常见；在其他领域也可能有引申用法。）

发音 Pronunciation (IPA)

/ˌbɪlt ˈɪn pəˈtɛnʃəl/

例句 Examples

The built-in potential prevents electrons from diffusing freely across the junction.
内建电势会阻止电子在结区两侧自由扩散。

In a silicon p–n junction at equilibrium, the built-in potential depends on doping concentrations and determines the width of the depletion region.
在平衡状态下的硅 p–n 结中，内建电势取决于掺杂浓度，并影响耗尽层的宽度。

词源 Etymology

built-in 来自 build（建造）+ in（在内），表示“内置的、先天存在于系统内部的”；potential 来自拉丁语 potentialis（有力量的、潜在的），在物理学中专指“势/电势”。合起来强调这种电势差不是外加的，而是结构与材料性质“自带”的。

相关词 Related Words

• Built-in Voltage
• Junction Potential
• Contact Potential
• Depletion Region
• PN Junction
• Barrier Height
• Equilibrium
• Doping

文学与著作引用 Literary Works

• Physics of Semiconductor Devices（S. M. Sze & Kwok K. Ng）：讨论 p–n 结与肖特基结中的 built-in potential 与能带弯曲。
• Semiconductor Physics and Devices（Donald A. Neamen）：以入门方式讲解内建电势、耗尽层与平衡条件。
• Microelectronic Circuits（Sedra/Smith）：在二极管模型与结的物理基础部分提及内建电势与势垒概念。