费米能级：在给定温度下，电子占据某一能量状态的“概率分界点”。在热平衡时，它等同于电子的化学势；在 0 K 时，通常可理解为电子填满能态到达的最高能量（与“费米能量”密切相关）。在半导体中，费米能级的位置可反映材料的掺杂类型与载流子分布。
/ˈfɝːmi ˈlɛvəl/
The Fermi level is higher in n-type silicon.
n 型硅中的费米能级更高。
When a semiconductor is doped, the Fermi level shifts toward the conduction band or the valence band, changing the carrier concentration.
当半导体被掺杂时，费米能级会向导带或价带方向移动，从而改变载流子浓度。
Fermi 来自意大利物理学家 Enrico Fermi（恩里科·费米） 的姓氏；level 表示“能级/水平”。该术语在固体物理与半导体物理中用于描述电子统计分布所对应的关键能量位置。
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