霍尔效应：当导体或半导体中有电流通过，并置于与电流方向垂直的磁场中时，载流子会受到洛伦兹力偏转，使材料横向两侧产生电压差（霍尔电压）。霍尔效应用于测量磁场强度、判断载流子类型（电子/空穴）以及研究材料的电学性质。（注：在强磁场和低温等条件下还有“量子霍尔效应”等扩展现象。）
/ˈhɔːl ɪˈfekt/
The Hall effect helps engineers measure magnetic fields in sensors.
霍尔效应帮助工程师在传感器中测量磁场。
By analyzing the Hall effect, scientists can determine whether electrons or holes carry the current in a semiconductor.
通过分析霍尔效应，科学家可以判断半导体中是电子还是空穴在传导电流。
“Hall effect”得名于美国物理学家埃德温·赫伯特·霍尔（Edwin H. Hall），他在1879年首次实验发现并解释了这种横向电压现象。该术语由姓氏“Hall”加上“effect（效应/现象）”构成，用来指代这一特定电磁现象。
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