“间接带隙”：一种半导体能带结构特征，价带顶与导带底出现在不同的晶体动量（k 值）位置。电子从价带跃迁到导带（或复合发光）时，通常需要声子参与以满足动量守恒，因此辐射复合效率较低（不如直接带隙材料容易发光）。常见例子：硅（Si）、锗（Ge，常温下）。
/ˌɪndəˈrɛkt ˈbændˌɡæp/
Silicon is an indirect bandgap semiconductor.
硅是一种间接带隙半导体。
Because of its indirect bandgap, silicon is inefficient for light-emitting devices, so LEDs usually use direct bandgap materials instead.
由于硅是间接带隙材料，它不适合高效发光器件，因此 LED 通常改用直接带隙材料。
“Indirect” 源自拉丁语 *in-*（不）+ directus（直接的），表示“非直接的”。“Bandgap”由 “band”（能带）+ “gap”（间隙）构成，是固体物理中描述价带与导带之间能量差的术语。“间接带隙”这一说法强调：带隙跃迁在动量空间中不是“同一点”完成，往往需要声子“帮忙”。
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