p-n junction：PN结。由 P型半导体 与 N型半导体 接触形成的界面，会产生耗尽层和内建电场，是二极管、晶体管、太阳能电池、LED等器件的基础结构。（在不同偏置条件下呈现整流等特性。）
/ˌpiː ˈɛn ˈdʒʌŋkʃən/
A p-n junction is the key part of a diode.
PN结是二极管的关键部分。
When a p-n junction is forward-biased, the depletion region narrows and current can flow more easily, whereas reverse bias widens the region and suppresses current.
当PN结加正向偏置时，耗尽层变窄，电流更容易通过；而反向偏置会使耗尽层变宽，从而抑制电流。
p-n 来自半导体材料的两种掺杂类型：P-type（p型，空穴为多数载流子）与 N-type（n型，电子为多数载流子）；junction 源自拉丁语 jungere（连接、结合），表示“两种区域的连接处/结”。
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