反向偏置：指在二极管、LED、光电二极管等半导体器件上施加反向电压（使其处于反向方向的电场条件下）。在正常情况下，器件只允许极小的反向漏电流；若反向电压超过其反向击穿电压，可能发生击穿并损坏（或在某些器件如稳压二极管中被利用）。
/rɪˈvɝːs ˈbaɪəs/
The diode blocks current under reverse bias.
二极管在反向偏置下会阻断电流。
When the photodiode is operated in reverse bias, its response time improves, but excessive reverse voltage can cause breakdown.
光电二极管在反向偏置下工作时响应速度会提高，但过高的反向电压可能导致击穿。
reverse 来自拉丁语 *re-*（“向后、再”）+ vertere（“转”），含义为“反向的”。bias 原意与“斜向、偏斜”相关，后来引申为“偏置、偏压”。在电子学中，bias 专指给器件施加的直流工作电压/电流条件，因此 reverse bias 就是“反向的偏置（偏压）”。
该术语主要用于工程教材与技术文献中，较少出现在传统文学作品里；在以下经典电子学教材中常见：
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