Indium Antimonide

释义 Definition

Indium antimonide（化学式 InSb）：一种由铟（In）和锑（Sb）组成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，具有很高的电子迁移率和较小的带隙，常用于红外探测器、霍尔器件、高速电子器件以及相关科研与工程应用。（也有其他更专业的材料参数与用途分类，这里给出最常见含义。）

发音 Pronunciation (IPA)

/ˈɪndiəm ænˈtɪmənaɪd/

例句 Examples

Indium antimonide is used in infrared detectors.
铟锑化物用于红外探测器。

Because indium antimonide has very high electron mobility, it is often chosen for sensitive Hall-effect sensors and low-temperature semiconductor experiments.
由于铟锑化物具有很高的电子迁移率，它常被用于高灵敏度霍尔效应传感器以及低温半导体实验。

词源 Etymology

该词由两部分构成：Indium（铟）是元素名，源自其光谱中的靛蓝色（indigo）谱线；Antimonide（锑化物）表示“与锑形成的二元化合物阴离子体系/化合物”，来自 antimony（锑） 加上化学后缀 -ide（表示某种元素的化合物，如 oxide, sulfide）。合起来即“铟的锑化物”。

相关词 Related Words

• Antimonide
• Indium
• Antimony
• Semiconductor
• III-V Compound
• Bandgap
• Electron Mobility
• Hall Effect
• Infrared Detector

文学与著作 Literary Works

• 《Semiconductor Physics and Devices》（Donald A. Neamen）：在Ⅲ-Ⅴ族材料与器件示例中常提及 InSb 等材料。
• 《The Physics of Semiconductors》（Marius Grundmann）：讨论窄带隙半导体与材料参数时会出现 InSb。
• 《Handbook of Infrared Detection Technologies》（相关编著类手册/工具书）：在红外探测材料章节中常列出 InSb 探测器体系。